场效应管与双极型晶体管的性能比较

场效应管与双极型晶体管的性能比较

场效应管FET的栅g、源极s、漏极d对应于双极型晶体管BJT的基极b、发射极e、集电极c，它们的作用相类似。

一、场效应管用栅-源电压vGS控制漏极电流iD，栅极基本不取电流；而晶体管工作时基极总要索取一定的电流。因此，要求输入电阻高的电路应选用场效应管；而若信号源可以提供一定的电流，则可选用BJT。而BJT组成的放大电路可以得到比FET更大的电压放大倍数。

二、FET只有多子参与导电；BJT内既有多子又有少子参与导电，而少子数目受温度、辐射等因素影响较大，因而FET比BJT的温度稳定性好、抗辐射能力强。所以在环境条件变化很大的情况下应选用FET。

三、FET的噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级和要求信噪比较高的电路应选用FET。当然也可选用特制的低噪声BJT。

四、FET的漏极与源极可以互换使用，互换后特性变化不大；而BJT的发射极与集电极互换后特性差异很大，因此只在特殊需要时才互换。

五、FET比BJT的种类多，特别是耗尽型MOS管，栅-源电压vGS可正、可负、可零，均能控制漏极电流。因而在组成电路时FET比BJT有更大的灵活。

六、FET和BJT均可用于放大电路和开关电路，它们构成了品种繁多的集成电路。但由于FET集成工艺更简单，且具有耗电省、工作电源电压范围宽等优点，因此FET越来越多地应用于大规模和超大规模集成电路之中。